华羿微代理商 HYG017N04LS1C2 N沟道增强型MOSFET
特征：
40V/190A
RDS(ON)= 1.6mΩ(typ.)@VGS = 10V
RDS(ON)= 2.3mΩ(typ.)@VGS = 4.5V
100%雪崩测试
100% DVDS
可靠且坚固的
无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准）
应用：
开关应用
锂离子电池保护器
DC-DC
电机控制器
详情请咨询我司业务15986786916
华羿微控制器typN沟道雪崩发布于：广东省栏目分类
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